QBBO-4425 BBO电光Q开关
电光晶体
BBO
有效孔径
>Φ3.8 mm
λ ／4 电压
≤3 .4KV
消光比
>2000:1
插入损耗
<2%
波前畸变
<λ/10
电容
～2pF
损坏阈值
850M W/cm2 for pulses <10ns; 5G W/cm2 for pulses <1ns
曲型上升时间
<300ps
使用波长
1064nm
外观尺寸
Φ30x35mm
应用说明: QBBO-4425 BBO电光Q开关主要应用在半导体泵浦的1064nm激光器中。在应用中，器件中的BBO晶体的轴向排列如下图所示，晶体的Z轴（光轴）与器件的中轴线（中心线）平行，Y轴与两外电极的中轴线在同一平面内。激光的准直方向与偏振方向的调节可参照此图。
注意事项
