BBO电光Q开关因其独特的物理特性和优异的光学品质而广泛应用于高脉冲功率、高重复频率（>5KHz）、窄脉宽（<10ns）激光系统。

BBO晶体是单轴晶体，具有优异的光学质量，其消光比 >2000:1（使用632nm He-Ne激光测量），波前畸变 <λ/10 @632.8nm。

BBO晶体的应用波段范围为190-3300nm。在420-2000nm波段内，透过率 >98.5%。

BBO 电光Q开关电容小，约为2pF，因而上升时间短（<300ps），在调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光。

与市场化的电光晶体相比，BBO晶体具有较高的损伤阈值；在脉宽10ns、波长为1064nm、重复频率 10 Hz的光学条件下，损伤阈值 >850MW/cm2。

BBO电光Q开关热性能稳定，热弥散效应小；在相同功率下使用，与目前市场化的电光晶体相比， BBO电光Q开关因温度变化引起的半波电压以及折射率变化最小。BBO晶体在较大的温度变化范围内不会出现静态双折射现象。

BBO 电光Q开关在重复频率为300kHz使用时，未出现压电振铃效应。

BBO电光Q开关为横向加压使用，可以通过改变BBO晶体纵长比减小其半波电压，以达到期望的半波电压要求。

QBBO系列BBO 电光Q开关基于工业化的实际应用，除本征的优良特性外，在高重复频率下应用时（>10KHz），无需特别考虑其散热问题和电磁干扰（EMI）、射频干扰（RFI）问题。不仅如此，QBBO系列BBO电光Q开关中，无任何封胶或粘合剂，因而在使用过程中，不会出现对器件和整个激光器系统的污染性影响。

应用说明:
QBBO-3320 BBO电光Q开关主要应用在半导体泵浦的1064nm激光器中。在应用中。器件中的BBO晶体的轴向排列如下图所示，晶体的Z轴（光轴）与器件的中轴线（中心线）平行，Y轴与两外电极的中轴线在同一平面内。激光的准直方向与偏振方向的调节可参照此图。

注意事项

1. 器件限定在小于直流高压4KV下使用；
2. 请按照说明书中的图示方式接线，尽可能避免导线线芯外露；
3. 器件全密封性和全散热性设计，需在室温下或简单风冷条件下应用。请避免使用非良好散热材料作为固定支架或用非良好散热胶带包扎，使用常规的光学调整架类材料作为固定支架即可；
4. 器件应在洁净的环境中使用；
5. 器件应避免强烈撞击；
6. 器件已完全密封，自行拆修，易导致损坏。